1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其立异的结构可完成低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开端供给测验样品，供客户评价。

  当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电[4]时，其可靠性会因导通电阻添加而下降。东芝SiC MOSFET经过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管作业的器材结构来缓解以上问题，但如若将SBD安置在芯片上，会削减为通道供给的板面积，板面积不只可决定MOSFET导通作业的电阻，并且还可添加芯片的导通电阻。

  X5M007E120中嵌入的SBD选用格纹形状摆放，没有选用常用的条形形状，这种摆放可高效按捺器材体二极管的双极通电，并且即使占用相同的SBD挂载面积，也能将单极作业的上限提升到大约两倍的当时面积。此外，也可针对条形阵列进步通道密度，并且单位面积的导通电阻很低，大约下降了20 %至30 %[5]。这一进步的功能、低导通电阻以及针对反导游通作业坚持的可靠性，可节约用于电机操控的逆变器的电能，例如牵引逆变器。

  下降SiC MOSFET的导通电阻，会导致短路[6]时流过MOSFET的电流过大，然后下降短路耐久性。此外，增强嵌入式SBD的传导，进步反向传导作业的可靠性，也会增大短路时的漏电流，然后可再次下降短路耐久性。最新裸片具有深势垒结构设计[7]，可在短路状态下按捺MOSFET的过大电流和SBD的漏电流，这可在进步其耐久性的一起，坚持针对反向传导作业的极高可靠性。

  东芝估计将在2025年供给X5M007E120的工程样品，并在2026年投入量产，一起，其将进一步探究器材特征的改善。

  东芝将为客户供给易用性和功能都更高的电源半导体产品，充沛满意电机操控逆变器和电动汽车电力操控办理体系等能效都至关重要的范畴的使用需求，然后为完成脱碳社会做出奉献。

  图2：现有条形形状嵌入式SBD的MOSFET与格纹形状嵌入式SBD的MOSFET的原理图

  图3：条形形状嵌入式SBD的MOSFET与格纹形状嵌入式SBD的MOSFET的单极传导及导通电阻临界电流密度测量值（东芝查询）

  图5：格纹形状嵌入式SBD的现有MOSFET与深势垒结构设计MOSFET的原理图

  图6：条形形状嵌入式SBD和深势垒结构设计MOSFET的短路耐受时刻和导通电阻的测量值（东芝查询）

  [1] 可将电池供电的DC电源转换为AC电源并可操控电动汽车（EV）或混合动力电动车（HEV）电机的设备。

  [6] 与在正常开关作业期间的短时刻传导比较，在操控电路毛病等反常形式下呈现长时刻传导的现象，要求具有在必定短路作业保持的时刻内不可能会呈现毛病的强度。

  [7] 为操控因高压而发生的高电场供给的器材结构元件，其会对器材功能发生严重影响。