12月22日，上交所正式受理了江苏宏微科技股份有限公司提交的科创板上市申请，保荐人为民生证券，拟募资5．58亿元，用于投建新型电力半导体器件产业基地项目、研发中心建设项目、偿还银行贷款及补充流动资金项目。

  招股书显示，宏微科技从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案。

  宏微科技官网也显示，其经营事物的规模最重要的包含：1、设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块（CSPM）；2、高效率节约能源电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案，如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。

  IGBT是工业控制及自动化领域的核心元器件，属于国家战略高新技术及核心关键技术。

  据悉，宏微科技目前已具备并掌握先进的IGBT、FRED芯片设计能力、工艺设计能力、模块的封装设计与制造能力、特性分析与可靠性研究能力、器件的应用研究与失效分析能力。宏微科技在IGBT、FRED等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试装等方面积累了不少的优秀核心技术，其中芯片领域的核心技术最重要的包含微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRED芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。宏微自主研发设计的芯片是宏微科技模块产品具有超高的性价比的主要竞争力之一。

  招股书显示，宏微科技拟募资5．58亿元，投建于新型电力半导体器件产业基地项目、研发中心建设项目、偿还银行贷款及补充流动资金项目。宏微科技称，这次募集资金投资项目均系围绕公司主要营业业务与核心技术进行。

  「新型电力半导体器件产业基地项目」主要系在现存技术和现有工艺基础上通过扩充生产线，通过配置高性能的生产硬件设备和自动化设备，并引入制造公司制作过程执行管理系统等……为高端IGBT产品的生产奠定基础，以更好地满足下游客户的需求。

  「研发中心建设项目」主要围绕「新能源领域的IGBT芯片与封装技术」、「高电流密度、大功率IGBT芯片与模块」、「SiC功率器件」、「用户定制模块」等研发方向，购置先进研发设备、测试仪器及专业软件，引进高素质的研发技术人才，进行多个前沿方向的研发……研发中心建成后……（宏微科技）能够一起进行芯片和模块方向多个项目的研发，提高研发效率，增强核心技术竞争力。

  宏微科技还声称，现已掌握核心的IGBT、FRED芯片设计、制造、测试及可靠性技术，开发出IGBT、FRED芯片及单管产品100余种，IGBT、FRED、整流桥及晶闸管等模块产品400余种，电流范围从3A到1000A，电压范围从60V到2000V，产品类型齐全。

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