寿数的要害要素之一，为避免过热导致的MOS失效，运用前进行简略的温度预算是必要的。

  MOS管发热的底子原因是其作业进程中产生的各种损耗，能量不会随便消失，丢失的能量终究会经过转变为热量被消耗掉，损耗越大发热量也随之越大。在MOSFET敞开的进程中跟着

  逐步升高，而电压与电流存在交叠的区域，该区域将产生损耗。当MOSFET彻底导通时，

  不等于0，这是因为MOSFET的漏源两头存在导通电阻，因而产生压降。该电阻与导通时流过的电流产生损耗。MOSFET关断的进程与其敞开进程类似，所以MOSFET关断进程也将产生损耗。除了MOSFET开关产生的损耗外，在三相交流电机操控办理体系中MOSFET续流二极管中也存在压降损耗。因而MOSFET的首要损耗来历有以下五种：导通损耗、开关损耗、续流损耗、断态损耗、驱动损耗。而对温度影响比较大的首要为导通损耗和开关损耗，因而进行简略预算时暂时也先从这两个损耗下手。

  以下以华轩阳的HXY80N06D为例来进行阐明，下图是其在管芯25℃和150℃下的漏极电流与漏源电压的联系：

  几乎是线性联系，且温度越高此线性联系越显着。由此可以计算出在给定的驱动电压下，管芯在特定温度时MOS管的导通电阻巨细。

  。接下来在回到数据手册，咱们还需要MOS管的热阻。热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两头温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或许是K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。

  为结在停止空气条件下对环境的热阻,是半导体封装最常见的热参数。即功率每上升1W，对应的温升。

  ：Ig=Qg/Ton其间：Ton=t3-t0≈td(on)+trtd(on)：

  导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。Tr

  烧掉了，产生这种状况是什么原因？本来想是不是电源的短路维护没起作用，可是输出终端那里的正负短路却没有

  输入电压110V，缓发动后边接了两个220uf电容。曾经相同的电路试验没问题，后来几年后也是相同的电路拿出来用，成果

  ： Ig=Qg/Ton 其间： Ton=t3-t0td(on)+tr td(on)：

  导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到

  的驱动电流？ /

  的并联理论 /

  操控 /

  ，或许称是金属-绝缘体-半导体，是一种常见的半导体器材。依据其作业电压的不同，

  ，作为半导体器材的一种，被大范围的应用于电源、变频器、马达驱动等范畴。但在运用中，咱们有时会发现

  （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体

  特性是一个至关重要的参数，它必定的联系到器材的作业稳定性、可靠性及全体电路的功能。三极

  ）寿数的影响是一个杂乱而重要的议题，它不只联系到电子科技类产品的功能稳定性，还直接影响到产品的惯例运用的寿数和可靠性。以下将具体讨论

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