2024年10月22日，由EEVIA主办的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会暨百家媒体论坛在深圳湾万怡酒店隆重举行，Big-Bit资讯记者受邀亲临现场，见证了这场科技盛宴的精彩瞬间。

  艾迈斯欧司朗、Qorvo、RAMXEED（原富士通半导体）、飞凌微、安谋科技、清纯半导体等6家有名的公司详细展示了车载LED、传感器、高性能存储器、端侧SoC芯片，AI图像图处理芯片和车载SiC芯片等场景的最新SiC产品。

  Big-Bit资讯将通过论坛演讲内容，带大家一起了解上述企业究竟有哪些“科技与狠活”。

  艾迈斯欧司朗深耕光源市场已有百余年，在汽车光源领域也已超越四十年的历史，是名副其实的汽车照明有突出贡献的公司，在汽车照明光源市场有着无可比拟的优势。此次论坛，艾迈斯欧司朗高级市场经理罗理为与会听众介绍了3款艾迈斯欧司朗人车互动方面的创新光源。

  首款光电结合的车载LED。艾迈斯欧司朗最新推出的25600像素EVIYOS® 2.0，是业界第一款光与电子相结合的LED，底部集成了CMOS电路控制LED的亮和灭，25600个像素点压缩到40平方毫米的曲光面上，每个像素点粗细仅50微米，且都可以独立寻址开关，为汽车照明工程师设计提供了更多可能性和想象空间。

  首款智能RGB LED。OSIRE®E3731i这款产品是业界首个推出基于OSP开放架构的、把LED和驱动集成在一个封装的SiC产品，是艾迈斯欧司朗为应对新能源汽车信息数据显示越来越丰富，慢慢的变成为人车互动载体而推出的SiC产品，解决了当前汽车LED使用颗粒数增加、保障RGB混色均匀等痛点问题，并实现成本和数量的平衡。通过OSP开放协议，免除了MCU厂家的限制，只需要双绞线和高低电频，一个SPI接口就可串联高达1,000颗的RGBi，且可预埋在SiC主控域控制器上，通过OTA升级更新，大大简化了架构布局，提高了整车的通用性。

  360辐射侧发光LED。SYNIOS® P1515的封装是1.5×1.5mm2，通过创新性的SiC封装设计，把整个尾灯信号灯面发光源的结构压缩到5毫米甚至更低，其均匀地分布在侧面、360环绕的出光方式，可以为工程师带来更多结构上的创新，如替代传统顶发光LED，使得整体结构更简单；或者用于实现类似于OLED的超薄均匀性面发光。

  随着新能源汽车市场的加快速度进行发展，中国汽车市场正逐渐脱离跟随者的角色，艾迈斯欧司朗也紧跟步伐，扎根于中国，在技术创新实现降本增效的基础上，不断追求解放SiC技术设计师的思路和思维，增加SiC产品工程师架构设计的可塑性，从而为SiC业界和SiC市场提供更多的选择。

  Qorvo是一家全球领先的的连接和电源解决方案供应商，作为首个将ACS TUNER天线方案带到中国市场的品牌，经过二十多年的深耕，目前Qorvo产品已大范围的应用于互联移动、电源、AI服务器和汽车。Qorvo中国高级销售总监江雄详细的介绍了目前Qorvo应用于所有的领域的最新SiC产品。

  基于人机交互的Sensor Fusion（传感器融合），关于Force Sensor部分，今年最热的就是iPhone16采用了融合压力传感器单独拍摄键，这个按键被业界定义为AI键，未来会集成更多的功能和用途。Force Sensor在很多领域例如智能穿戴、笔记本、智能家电等，尤其是汽车上，从车外到车内、车门、方向盘、控制面板，已有多家知名整车厂商使用Qorvo的MEMS Sensor方案，最多的一款用了28颗Sensor了，可以让人机交互体验更加流畅，界面更加时尚，也能增加更多的方式。

  此外，江雄还详细的介绍了Qorvo的Phase 8射频前端模组、滤波器、Wi-Fi芯片、功率器件等相关SiC新产品及其应用进展，致力于通过技术为用户更好的提供更好的performance、更创新的SiC技术方案、更小SiC产品尺寸和更高的集成度。

  RAMXEED（原富士通半导体）总经理冯逸新为与会嘉宾详细的介绍了富士通集团的发展历程。

  富士通从1956年开始研发半导体，80年代成长为顶级的半导体公司，是IDM的典型代表，并将于2025年1月1日正式撤出半导体市场，以全新面貌RAMXEED回归大众视野。

  目前RAMXEED只专注于高性能存储器FeRAM、ReRAM和以FeRAM、ReRAM为基础的SiC定制产品，SiC产品生产销量主要在日本，以定制芯片ASIC为主；其次是亚太，主要是在中国和中国台湾，中国台湾主要是FA和医疗电子标签，大陆主要是表计、FA、新能源汽车充电桩、PV（光伏发电的设备）逆变器和储能应用。

  本届论坛，RAMXEED带来新产品铁电随机存储器（FeRAM），是为数不多实现ReRAM量产的半导体供应商，目前最大容量12Mbit，能耐高温（125C），传输速度快（50MHz、108MHz），功耗低（1.65V），且尺寸小（DFN封装），在智能电网、汽车、充电桩、工厂和楼宇自动化、船舶、工程机械、医疗电子、云计算、游戏等方面均有成熟应用，并详细的介绍了其未来SiC技术迭代路径，并可根据SiC市场需求把速度做得更快。

  思特威副总裁、飞凌微首席执行官邵科主要从端侧AI处理优势及主要SiC技术应用场景、飞凌微M1智能视觉处理系列芯片及其在车载视觉中的SiC技术应用三个方面做了分享。

  邵科提到，最近十年中视觉系统有两大方面发展非常迅速，一是图像传感器、视觉类的SiC产品用得慢慢的变多，从原来安防监控到现在的手机，再到门铃、扫地器、人脸支付等日常生活的方方面面，视觉应用越来越宽泛；

  二是神经网络，像AI算法发展越来越快速、应用慢慢的变多，会催生大量的视觉应用需求，最重要的包含三大类：

  这种发展的新趋势要求视觉处理对图像性能要求慢慢的升高，对图像处理芯片的性能要求也慢慢变得高。

  飞凌微今年推出的M1系列三款SiC产品，均是SiC业内最小的封装尺寸（BGA 7mm*7mm封装）。

  M1是一款高性能ISP芯片，能够接收800万像素的图像数据或同时接收两张300万像素的图像数据；

  M1 Pro基于高性能ISP加入了轻量级CPU、NPU算力，可处理人脸识别、姿态识别等轻量级AI应用；

  M1系列芯片在车载ADAS、影像类产品和后视镜等方面都有SiC技术应用落地。

  安谋科学技术产品总监鲍敏祺主要分享了端侧AI应用的新机遇，尤其是新的AIGC大模型带来算力的提升，在图像识别、信息总结、智能提示等方面展现出强大的SiC技术应用功能，提升了使用SiC产品效率和使用者真实的体验，使得端侧AI应用得到更多的关注和认可。

  一是算力限制：由于memory带宽的限制，端侧模型的大小通常在1-3B之间，高带宽场景下可达7B。

  二是成本与功耗：存储介质、计算资源的成本和功耗是端侧AI面临的主要挑战；

  安谋科技周易NPU针对智能汽车、手机PC、AIOT等场景分别采取了了不一样的SiC技术应对策略。

  智能汽车策略：安谋科技针对智能汽车领域提供了全面的SiC技术解决方案应对智舱一体化趋势，涵盖了GPU渲染、前级摄像头处理、以及安全性相关的SPU和VPU需求。

  AI加速卡策略：设计注重安全性，支持高效的图像和视频输入处理，以及JPEG解码能力。根据SiC技术应用场景的不同（如NVME存储、车载、手机等），加速卡的功耗和尺寸受到严控，保证足够的算力输出和整体SiC技术方案的多样性，支持未来多模态模型的SiC技术需求。

  AIOT场景策略：由于面积和功耗的限制，算力需求相比来说较低，但对安全性的要求更高。安谋科技的SiC技术解决方案侧重于提供低功耗、高安全性的AI加速能力，适用于声音和图像检测等轻量级任务

  周易NPU可以依据需求裁剪IP，支持从20 TOPS到320 TOPS的算力范围，以适应不一样的SiC技术应用场景。

  鲍敏祺还提到，针对下一代周易NPU，安谋科技已布局Wenxin、Llama、GPT等模型，在端侧可覆盖Pad、PC、Mobile，可以从实际场景匹配相应的算力和模型需求，匹配最合适的SiC产品形态。

  清纯半导体(宁波)有限公司市场经理詹旭标在演讲中回顾了新能源汽车行业的迅速增加，分析了目前SiC在主驱应用中的市场接受度。

  SiC技术因其低导通电阻、低开关损耗等优势，整个电机控制管理系统有望能降低70%损耗，从而增加5%的行驶里程，已成为提升续航里程和解决补能焦虑的关键，詹旭标指出SiC产品上车已成为行业共识。

  詹旭标还详细分析了SiC产业及技术现状，对比了国内外主流SiC MOSFET技术的平面栅与沟槽栅结构优缺点，以及国际厂家的SiC技术迭代路线。

  目前整个SiC商品市场仍然是以国外企业占主导地位。头部5家外资企业市场占有率合计高达91.9%，按Top 10算市场占有率更高，国内企业的SiC产品占比非常小。

  不管外资还是内资厂商，均在大力扩充产能，Wolfspeed规划投入64亿美元，英飞凌总投资达到50亿欧元，国内企业产能规划大概是1000亿，但过于分散。

  大面积的扩产，也导致SiC产业逐步开始内卷。根据预测，2026年国内衬底的规划产能约460万片，能满足约3000万辆新能源汽车的需求，产能将严重超过标准，而目前SiC器件的价格已在迅速下降的过程中。比如从2023年9月份到2024年4月份，SiC市场热卖的1200V/40m SiC MOS管，平均价格从约35元跌到23元左右，下降幅度约35%，仅为硅基IGBT价格的1.5-2倍，即将抵达触发SiC市场变革的临界点。

  第一种是平面栅结构的SiC器件，以Wolfspeed、ST、Onsemi等厂商为代表，特点是工艺成熟，可靠性高，平面栅结构的MOSFET目前也是新能源汽车、光伏、储能等领域出货量最大的；

  第二种是沟槽栅结构的SiC器件，ROHM、英飞凌、博世为代表，相比于平面栅结构，其特点是比导通电阻（Rsp）更低。

  从最近十年的SiC技术发展历史看，每隔3-6年就会迭代一次，每次迭代导通电阻大概下降20%-25%，目前主流国际大厂的技术水平，如1200V SiC的Rsp约2.3~2.8m，国内厂商约2.8~3.3m。

  清纯半导体绝大多数都是以1年1代的节奏快速迭代，第一代SiC产品Rsp约3.3m，2023年第二代SiC产品已到2.8m左右，今年会发布第三代SiC产品，Rsp能做到2.4m，可完全对齐国际巨头最先进的SiC技术水平，且针对主驱领域推出了24/25/27/30平方毫米等多个尺寸的SiC产品。

  詹旭标最后总结到，目前SiC产业高质量发展非常迅猛，SiC功率器件在光储充的国产替代已经大批量应用，部分企业已率先完成100%国产替代，车规级SiC MOSFET技术与产能已对标国际水平，主驱芯片国产替代已经起步，但由于种种原因，乘用车主驱SiC MOSFET仍依赖进口。

  国内在SiC材料、器件领域已进入内卷和洗牌快车道，激烈的竞争促使国内SiC产品价格迅速下降、质量逐步的提升、SiC产能持续扩大，相信未来2~3年后局面肯定会大幅改善，并最终主导全球供应链。

  本次年度论坛，一众企业为我们展示了其最新的SiC产品和SiC技术，一起为半导体SiC产业贡献了一场科技盛宴，同时也描绘了各类芯片产品在新能源汽车、AI大数据、光储、消费电子等领域应用潜力，尤其是SiC产业的快速发展和进步令人印象非常深刻，也让从业者倍感振奋。

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