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【48812】深入探讨对PNPN四层结构的晶闸管正向阻断进程的机理?
时间: 2024-05-08 10:08:39
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本节就主要对PNPN四层结构的晶闸管正向阻断进程的机理进行深入探讨,测验解说雪崩击穿条件,并给出在MEDICI中对各个重要参数(如γ
曩昔晶闸管被叫做硅控整流器(Silicon-controlledRectifier)。单纯的PNPN结构无法控制,晶闸管加入了栅极因而它具有阳极、阴极和栅极。晶闸管导通电流大,正反都可耐高压。
因而此次研讨目标为单纯的PNPN四层Shockley二极管结构,其等效电路如下图1所示:
当阳极加上必定的电压时,如图2所示,J1结与J3结根本上处于零偏状况,外加电压简直悉数加在了J2结上,此刻跟着外加电压的增大,J2结耗尽区逐渐扩展,其内部的载流子运动如图所示:
图2 Shockley二极管PNPN结构在正向阻断时的内部各种电流成分的传输进程
如图5中的虚线所示,虚线下方的其他区域(黄域)为树立安稳电流的条件。
模块是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,曾经被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款
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