当然，新技术的成熟及其ECO的扩大都需要一些时间。大概是因为碳化硅 (SiC)大范围的使用在可再次生产的能源和电动汽车等新兴的大功率转换应用，许多人仍然将 SiC 视为一种“新”技术，并且认为其支持ECO很不完善。

  时，几乎都要先使用 SPICE 模型进行计算机仿真，以获得对电路行为方式的合理估计。为了支持仿真，安森美为旗下的 SiC 器件提供

  。在该仿真工具中使用出色的 EliteSiC 器件时，可得出准确的结果。

  行业主流平台都支持安森美基于物理的可扩展 SPICE 模型，包括 PSpice、LTspice、

  为了提供进一步支持，安森美开发了用于系统级仿真的 PLECS 模型生成工具。与许多仅适合硬开关的 PLECS 模型不同，安森美的 PLECS 模型自助生成工具支持

  创建定制化的高保真 PLECS 模型。这些模型同样适合软开关应用，例如

  -DC、LLC 和 CLLC 谐振、双有源桥及相移全桥 (PSFB)。

  构建 SiC 器件可能很有挑战性，特别是要保持充分的过程控制以确保高可靠性。只有对晶圆和产品做全面

  ，结合有效的故障分析技术充分理解故障模式，并落实纠正措施计划，才能防止问题。

  安森美基于缜密的设计方法、严格的生产监控、制造控制、适当的筛选和稳健的认证，开发了一套全面的跨功能方法来评估旗下的 SiC 产品，只有通过评估之后才会将产品投放市场。

  随着汽车和可再次生产的能源等利用 SiC 技术的主要应用的增长，人们开始担忧 SiC 产品的供货问题。这种担忧似乎是基于一个误解，即 SiC 产品难以制造，产能有限。造成这类问题的原因之一在于，SiC 产品制造是一个多阶段过程，通常由不同公司负责不同阶段。然而，安森美是一家

  在美国新罕布什尔州，制作的完整过程从生长单晶 SiC 材料开始，然后生产晶圆衬底，接着生长薄外延层，之后是若干器件加工步骤，最后是封装产品。安森美的整个制作的完整过程采用

  文章出处：【微信号：onsemi-china，微信公众号：安森美】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

  （SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，

  特色工艺模块简介 /

  的5大优势 /

  ，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  ，助力开发者释放创造力，本片文档主要介绍选型、原型评估、配置、编译、软件包、调试、烧录、监测和总结。

  ，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中MOSFET表示金属氧化物半导体场效应晶体管，

  鸿蒙开发接口媒体：【@ohos.multimedia.image (图片处理)】

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