fun88体育在线投注
首页 > 新闻资讯 > fun88体育在线投注
二极管与MOS管电路怎样防反接呢??
时间: 2024-06-24 23:57:12
作者: fun88体育官网登录入口
为2安培。在常规情况下,二极管它是串联在电路当中,用来保护后级电路免受电源反接损坏。但是因为于二极管上存在很大的电压降,这将会导致能量的损失增加很多。
我们知道肖特基二极管在这样的一种情况下,它的性能更优秀,因为它的压降小,因此它们能减少能量的损耗。尽管肖特基二极管的性能有所提高,但它们仍然可能会对电路产生比较大的影响,尤其是在电源电压比较低的情况下。
所以,我们应该根据具体的电路应用场景还有需求来选择一个合适的二极管类型还有电源配置,来确保电路的性能和稳定能力达到最优。
使用反接的二极管和保险丝的这个组合,当电路在正常工作的时候能实现低损耗。但是当电源反接时,电顺着二极管流,这样会接近短路,导致电路中的保险丝熔断,以此来保护电路。
但是,反接发生后,因为器件已经熔断,因此二极管和保险丝都要换掉,这样大幅度提升了维护成本。另外,当输入反接时会产生一定的负压,后级电路的器件仍有可能损坏,因此还需要采取其他的措施来保护后级电路设备。
这个电路采取的是PMOS用来防反接的电路,它是利用PMOS的内部寄生二极管来实现对后级电路的保护。当输入电源是正接时,寄生二极管是导通,从而使得源极电压也升高,此时栅极电压约等于电源的负端电压,便会使得PMOS的导通。
因为PMOS的导通以后,它的内阻通常是在几毫欧的范围内,因此它的导通损耗是远低于使用二极管时的损耗的。
当输入电源接反时,寄生二极管便会截止,使得栅极电压为0V,因此PMOS关断,进而后级设备的电压降为0V。这样,后级器件就不会由于电源反接而受损。所以,这种很基本的PMOS防反接电路它是可以在电路保护方面发挥很重要的作用。内阻低,压降损耗小,还保护后级电路。
1.我们为越来越好更有效的保护电路,在PMOS的防反接电路中,我们需选择具有适当Vds值和Vgs耐压值的PMOS。还有,选择一个具有较低内阻的PMOS型号,它能更加进一步降低导通的损耗。
2.PMOS上面的功耗还有散热面积大小对于电路的稳定性华友可靠性是有很重要的意义。所以,我们该合理的选择PMOS的型号还有规格,以便它在正常工作时候不会因为过热或者出现其他不良现象。因此我们为了能够更好的保证电路的稳定性还有可靠性,还应该在电路设计时考虑到PMOS适当的散热。比如增大散热面积。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉
的内阻很小,现在 MOSFET Rds(on)已经能做到毫欧级,解决了现有采用
保护。这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复
特性: 电压控制导通, 几乎无电流损耗。需要经常插拔电池的产品中, 防止电池
可以做到几个毫欧的内阻,假设是 6.5 毫欧,通过的电流为 1A(这个电流已经
转载自嵌入式技术开发在直流电源系统中,电源的输入端,为避免电源正负极接反,通常会在输入端对电源进行
的电流越大,导通电压越大。本人由于需要,将1N4148接在电源输出端做
,当流过0~10mA电流时,1N4148输出端电压纹波达600mV,导致系统工作不正常。 由于
保护。如下图1示:这种接法简单可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如
供电的设备,我们在设计时一定需要考虑到其电源接反的情况,否则一但接反,有可能导致终端设备内部
◆ 宽输入电压范围:5V~80V ◆ 可设定电流范围:10mA~1000mA ◆ 固定工作频率:165KHZ ◆ 内置抖频
保护元器件,PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制
有0.7V的压降图2 是一个桥式整流器,不论什么极性都能够顺利工作,但是有两个
下面两张原理图是不同地方找到的,有两个疑问,特来请教各位。 1,其中两张图中都是用了
)?哪位大神解释一下?谢谢。图2中DCDC输入端并联了一个1M的电阻,请问什么作用?
假设用电池供电,电压为5V,消耗电流为1A,当电池连接方向正确时,一切正常。但如果不小心
中,击穿是因为耐压值不够高所致,烧毁是因为额定电流小所致。建议替换成耐压值较高,额定电流
注意事项 / 优缺点NMOS 需要接在电源的低侧,即靠近负极的一侧,其防止
优势,目前大范围的使用在手机,LCD模组,及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要用此来作为静电防护的主要手段之一。
线路上的电流过大,比如有2A的电流,那么就会一直有1.4W的损耗,发热也非常大,而且,如果反向电压稍微偏大,并非完全截止,会有一个比较小的漏电流通过,使用时需要留足余量。PMOS
本帖最后由 笑点太低 于 2017-6-30 09:09 编辑 如图是一个电压跟随器,在运放输出端
下面两张原理图是不同地方找到的,有两个疑问,特来请教各位。1.其中两张图中都是用了
的含义来判断,它们的共同点大多数表现在:一、在一些范围内,均可以限制两端的电压;
的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时,可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时,可使用万用表电阻挡很准确地将稳压
正向导通电压很低,只有0.4V,反向在击穿电压之前不会导通,起到快速反应开关的作用。而稳压
是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,完整的叫法是:肖特基整流
(Schottky Rectifier Diode 缩写成SR),也有人叫做:肖特基势垒
管的内阻很小,现在 MOSFET Rds(on)已经能做到毫欧级,解决了现有采用