IGBT模块关断截止时，I(t)≈0，损耗的功率可疏忽。为便于剖析，将IGBT损耗分为导通损耗和开关损耗。别的，开关损耗也可分为两类：具有抱负

  IGBT导通时，假如电流为方波脉冲，那么导通能量就等于电流、电压降和导通时刻三者之积。IGBT在恣意电流和温度时的最高电压降，依据数据表供给的数据，可按以下两步得到：

  首要，从IGBT模块集电极发射极饱满电压与壳温的联系曲线上找出能满意所需电流的集电极-发射极饱满电压。然后，为得到最大压降，在给定结温下从该曲线上得出的电压降有必要乘以电气特性表中给出的最大值与典型值之比。

  假如栅极驱动电压不是15V，最大压降值还需要些批改，批改系数可参阅器材公司的IGBT规划手册。假如电流不是方波脉冲，导通损耗只能用积分核算。这样有必要树立电流波形和电压降的数学表达式，这些函数联系可参阅器材公司的IGBT规划手册。

  在负载为电感的电路中，开关导通引起续流二极管反向恢复，一起开关器材中发生很大的电流尖峰，从而使IGBT和续流二极管的开关损耗添加。考虑到二极管反向恢复引起的开关损耗，IGBT总的开关损耗可出下式绐出：

  式中：U1和I分别为电源电压和负载电流；Irr为二极管峰值反向恢复电流；ta和tb为反向时刻trr的两个重量。 功率变换器选用不一样功率开关器材时的功率损耗可按下列工程公式核算。

  式中：ESW(on)为每一个脉冲对应的IGBT注册能量(在t= 125℃、峰值电流ICP条件下)；ESW(off)为每个脉冲对应的IGBT关断能量(在t=125℃、峰值电流ICP条件下)；PSW为变频电源每臂的PWM的开关功率；ICP为正弦输出电流的峰值；UCE(sat)为IGBT的饱满电压降(在Tj=125℃、峰值电流ICP件下)；FSW为开关频率；D为PWM信号占空比；θ为输出电压与电流之间的相位角(功率因数为cosθ)。