对于一些需要长时间不间断操作、高可靠的系统，如基站通信设施、监控设备、服务器等，往往需要高可靠的一般配置2个以上电源。当1个电源发生故障时，其他电源可以立刻投入，不中断设备的正常运行。这类似于不间断电源的工作原理：当市电断电时由电池顶替供电。冗余电源的区别主要是由不同的电源供电。

  电源冗余有交流220 V及各种直流电压的应用，本文主要介绍低压直流(如DC 5 V、DC 12 V等)的冗余电源方案设计。

  电源冗余通常能采取的方案有容量冗余、冗余冷备份、并联均流的N+1备份、冗余热备份等方式。容量冗余是指电源的最大负载能力大于实际负载，这对提高可靠性意义不大。

  冗余冷备份是指电源由多个功能相同的模块组成，正常时由其中一个供电，当其故障时，备份模块立刻启动投入工作。这种方式的缺点是电源切换存在时间间隔，易引起电压豁口。

  并联均流的N+1备份方式是指电源由多个相同单元组成，各单元通过或门二极管并联在一起，由各单元同时向设备供电。这种方案在1个电源故障时不可能影响负载供电，但负载端短路时容易波及所有单元。冗余热备份是指电源由多个单元组成，并且同时工作，但只由其中一个向设备供电，其他空载。主电源故障时备份电源能马上投入，输出电压波动很小。本文主要介绍后两种方案的设计。

  传统的冗余电源设计的具体方案是由2个或多个电源通过分别连接二极管阳极，以“或门”的方式并联输出至电源总线个电源单独工作，也可以让多个电源同时工作。当其中1个电源发生故障时，由于二极管的单向导通特性，不可能影响电源总线的输出。

  在实际的冗余电源系统中，一般电流都比较大，可达几十A。考虑到二极管本身的功耗，一般都会采用压降较低、电流比较大的肖特基二极管，比如SR1620～SR1660(额定电流16 A)。通常这些二极管上还要安设散热片，以利于散热。

  使用二极管的传统方案电路简单，但有其固有的缺点：功耗大、发热严重、需加装散热片、占用体积大。由于电路中通常为大电流，二极管大部分时间处于前向导通模式，它的压降所引起的功耗不容忽视。最小压降的肖特基二极管也有0．45 V，在大电流时，例如12 A，就有5 W的功耗，因此要特别处理散热问题。

  现在新的冗余电源方案是采用大功率的MOSFET管来代替传统电路中的二极管。MOSFET的导通内阻可以到几mΩ，大幅度的降低了压降损耗。在大功率应用中，不仅实现了效率更加高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了大量的电路板面积，也减少了设备的散热源。应用电路中MOSFET需要有专业芯片的控制。目前，TI、Linear等各大公司都推出了一些成熟的该类芯片。

  MOSFET在新的冗余电源方案中是关键器件。由于与常规电路中的应用不同，很多人对MOSFET的认识都存在一定误区。为了方便后续电路的介绍，下面对其特殊之处作以说明。

  首先，MOSFET符号中的箭头并不意味着实际电流流动方向。在三极管应用中，电流方向与元件符号的箭头方向相同，因此很多人以为MOSFET也是如此。其实MOSFET与三极管不同，它的箭头方向只是表示从P极板指向N极板，与电流方向无关，如图2所示。

  其次，应注意MOSFET中二极管的存在。如图2所示，N沟道MOSFET中源极S接二极管的阳极，P沟道MOS-FET中漏极D接二极管的阳极。因此，在大多数把MOSFET当作开关使用的电路中，对于N沟道MOSFET，电流是从漏极流向源极，栅极G接高电压导通；对于P沟道MOSFET，电流是从源极流向漏极，栅极G接低电压导通，否则由于二极管的存在，栅极的控制就不能关断电流通路。