(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个

  发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光，如图1所示。

  假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数m以内产生。

  理论和实践证明，光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即

  式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光～780nm红光)，半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

  (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。

  (2)最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。

  (3)最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。

  (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境和温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将异常工作，效率大大降低。

  (1)光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。

  由图可见，该发光管所发之光中某一波长0的光强最大，该波长为峰值波长。

  (2)发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。(3)光谱半宽度:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.

  (4)半值角1/2和视角：1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。

  图3给出的二只不相同的型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图能够获得半值角或视角值。

  (5)正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据自身的需求选择IF在0.6IFm以下。

  (6)正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度上升时，VF将下降。

  在正向电压正小于某一值(叫阈值)时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线能得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR10A以下。

  按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿、标准绿和纯绿)、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。

  根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。

  由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：

  (1)高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5～20或更小，具备极高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检验测试系统。

  (2)标准型。通常作指示灯用，其半值角为20～45。

  (3)散射型。这是视角较大的指示灯，半值角为45～90或更大，散射剂的量较大。

  按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。

  按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED(发光强度10mcd);超高亮度的LED(发光强度100mcd);把发光强度在10～100mcd间的叫高亮度发光二极管。

  一般LED的工作电流在十几mA至几十mA，而低电流LED的工作电流在2mA以下(亮度与普通发光管相同)。

  由于发光二极管的颜色、尺寸、形状、发光强度及透明情况等不同，所以使用发光二极管时应结合实际需要进行恰当选择。

  由于发光二极管具有最大正向电流IFm、最大反向电压VRm的限制，使用时，应保证不超过此值。为安全起见，实际电流IF应在0.6IFm以下;应让也许会出现的反向电压VR0。6VRm。

  LED被大范围的使用在种电子仪器和电子设备中，可作为电源指示灯、电平指示或微光源之用。红外发光管常被用于电视机、录像机等的遥控器中。

  (1)利用高亮度或超高亮度发光二极管制作微型手电的电路如图5所示。图中电阻R限流电阻，其值应保证电源电压最高时应使LED的电流小于最大允许电流IFm。

  (2)图6(a)、(b)、(c)分别为直流电源、整流电源及交流电源指示电路。

  (3)单LED电平指示电路。在放大器、振荡器或脉冲数字电路的输出端，可用LED表示输出信号是不是正常，如图7所示。R为限流电阻。只有当输出电压大于LED的阈值电压时，LED才可能发光。

  (4)单LED可充作低压稳压管用。由于LED正向导通后，电流随电压变化非常快，具有普通稳压管稳压特性。发光二极管的稳定电压在1.4～3V间，应根据自身的需求进行选择VF，如图8所示。

  (5)电平表。目前，在音响设备中大量使用LED电平表。它是利用多只发光管指示输出信号电平的，即发光的LED数目不同，则表示输出电平的变化。图9是由5只发光二极管构成的电平表。当输入信号电平很低时，全不发光。输入信号电平增大时，首先LED1亮，再增大LED2亮。

  (1)用万用表检测。利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200k,反向电阻的值为。如果正向电阻值为0或为，反向电阻值很小或为0，则易损坏。这种检测的新方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10k挡不能向LED提供较大正向电流。

  如果有两块指针万用表(最好同型号)可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极(P区)，余下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×10挡。一般的情况下，接通后就能正常发光。若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1，以免电流过大，损坏发光二极管。

  (2)外接电源测量。用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路就可以。如果测得VF在1.4～3V之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF3V，且不发光，说明发光管已坏。

  由于红外发光二极管，它发射1～3m的红外光，人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW，不相同的型号的红外LED发光强度角分布也不相同。红外LED的正向压降一般为1.3～2.5V。正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是不是正常，而没办法判定其发光情况正常否。为此，最好准备一只光敏器件(如2CR、2DR型硅光电池)作接收器。用万用表测光电池两端电压的变动情况。来判断红外LED加上适当正向电流后是否发射红外光。其测量电路如图11所示。

  通过发光二极管芯片的适当连接(包括串联和并联)和适当的光学结构。可构成发光显示器的发光段或发光点。由这些发光段或发光点可以组成数码管、符号管、米字管、矩阵管、电平显示器管等等。通常把数码管、符号管、米字管共称笔画显示器，而把笔画显示器和矩阵管统称为字符显示器。

  基本的半导体数码管是由七个条状发光二极管芯片按图12排列而成的。可实现0～9的显示。其具体结构有“反射罩式”、“条形七段式”及“单片集成式多位数字式”等。

  (1)反射罩式数码管一般用白色塑料做成带反射腔的七段式外壳，将单个LED贴在与反射罩的七个反射腔互相对位的印刷电路板上，每个反射腔底部的中心位置就是LED芯片。在装反射罩前，用压焊方法在芯片和印刷电路上相应金属条之间连好30m的硅铝丝或金属引线，在反射罩内滴入环氧树脂，再把带有芯片的印刷电路板与反射罩对位粘合，然后固化。

  反射罩式数码管的封装方式有空封和实封两种。实封方式选用散射剂和染料的环氧树脂，较多地用于一位或双位器件。空封方式是在上方盖上滤波片和匀光膜，为提高器件的可靠性，必须在芯片和底板上涂以透明绝缘胶，这还能大大的提升光效率。这种方式通常用于四位以上的数字显示(或符号显示)。

  (2)条形七段式数码管属于混合封装形式。它是把做好管芯的磷化镓或磷化镓圆片，划成内含一只或数只LED发光条，然后把同样的七条粘在日字形“可伐”框上，用压焊工艺连好内引线，再用环氧树脂包封起来。

  (3)单片集成式多位数字显示器是在发光材料基片上(大圆片)，利用集成电路工艺制作出大量七段数字显示图形，通过划片把合格芯片选出，对位贴在印刷电路板上，用压焊工艺引出引线，再在上面盖上“鱼眼透镜”外壳。它们适用于小型数字仪表中。

  (5)矩阵管(发光二极管点阵)也可采用类似于单片集成式多位数字显示器工艺方法制作。

  (1)按字高分：笔画显示器字高最小有1mm(单片集成式多位数码管字高一般在2～3mm)。别的类型笔画显示器最高可达12.7mm(0.5英寸)甚至达数百mm。

  (3)按结构分，有反射罩式、单条七段式及单片集成式。(4)从各发光段电极连接方式分有共阳极和共阴极两种。

  所谓共阳方式是指笔画显示器各段发光管的阳极(即P区)是公共的，而阴极互相隔离。

  所谓共阴方式是笔画显示器各段发光管的阴极(即N区)是公共的，而阳极是互相隔离的。如图13所示。

  由于LED显示器是以LED为基础的，所以它的光、电特性及极限参数意义大部分与发光二极管的相同。但由于LED显示器内含多个发光二极管，所以需有如下特殊参数：

  由于数码管各段在同样的驱动电压时，各段正向电流不相同，所以各段发光强度不同。所有段的发光强度值中最大值与最小值之比为发光强度比。比值可以在1.5～2.3间，最大不能超过2.5。

  若笔画显示器每段典型正向直流工作电流为IF，则在脉冲下，正向电流可以远大于IF。脉冲占空比越小，脉冲正向电流可以越大。

  (1)如果数码宇航局为共阳极形式，那么它的驱动级应为集电极开路(OC)结构，如图14(a)所示。

  如果数码管为共阴极形式，它的驱动级应为射极输出或源极输出电路，如图14(b)所示。

  例如国产TTL集成电路CT1049、CT4049为集电极开路形式七段字形译码驱动电路;而CMOS集成电路CC4511为源极输出七段锁存、译码驱动电路。

  ① 静态驱动：静态驱动也称直流驱动。静态驱动是指每个数码管各用一个笔画译码器(如BCD码二-十进制译码器)译码驱动。图15是一位数码管的静态驱动之例。图集成电路TC5002BP内含有射极输出驱动级，所以采用共阴极数码管。A、B、C、D端为BCD码(二-十进制的8421码)输入端，BL为数码管熄灭及显示状态控制端，R为外接电阻。

  ② 动态驱动：动态驱动是将所有数码管使用一个专门的译码驱动器，使各位数码管逐个轮流受控显示，这就是动态驱动。由于扫描速度极快。显示效果与静态驱动相同。图17是一种四位数字动态驱动(脉搏冲驱动)方法的线路。图中只用了一个译码驱动电路TC5002BP。

  TC4508BP内含两个锁存器，每个锁存器可锁存四位二进BCD码，对应于四位十进制数的四组BCD码分别输入到四个锁存器，四个锁存器，四组BCD码由四个锁存器分时轮流输出进入译码器，译码后进入数码管驱动级集成电路TD62505P(输入端I1～I7与输出端Q1～Q7一一对应)。Q1～Q7分别加到四个数码管的a～g七个阳极上。数字驱动电路TD62003P是由达林顿构成的阵列电路，Q1～Q4中哪一端接地，由输入端I1～I4的四师长“使能”信号DS1～DS4控制。由于四个锁存器的轮换输出也是受“使能”信号DS1～DS4控制。所以四个数码管轮流通电显示。由于轮流显示频率较高，故显示的数字不呈闪烁现象。

  米字管和符号管的结构原理相机，所以其驱动方式也基本相同，只是译码电路的译码过程与七段译码器不同。

  米字管可以显示包括英文字母在内的多种符号。符号管主要是用来显示+、-或号等。

  LED点阵式显示器与由单个发光二极管连成的显示器相比，具有焊点少、连线少，所有亮点在同平面、亮度均匀、外形好看等优点。

  点阵管根据其内部LED尺寸的大小、数量的多少及发光强度、颜色等可分为多种规格。图18所示是有代表性的P2057A和P2157A两种5高亮度橙红色5×7点阵组件。采用双列直插14脚封装，两种显示器的差别是LED极性不同，如图18所示。

  该显示器用扫描驱动方式，选择较大峰值电流和窄脉冲作驱动源，每个LED的平均电流不应超过20mA。

  LED点阵管能代替数码管、符号管和米字管。不但可以显示数字，也可显示所有西文字母和符号。如果将多块组合，可以构成大屏幕显示屏，用于汉字、图形、图表等等的显示。被大范围的使用在机场、车站、码头、银行及许多公共场所的指示、说明、广告等场合。