电阻测验法是使用二极管的单导游通特性，测验其正向有电阻读值与反向截止无读值来判别其是否好坏，这套丈量整流桥的好坏办法是很常见的一种。

  测验条件设定：万用表打到20K欧姆档位，红笔万用表正极，黑笔万用表负极。

  测验办法与过程为：红笔接整流桥负极，黑笔别离接两个沟通脚位，若均有读值显现则阐明负极与沟通之间的两颗芯片正常；黑笔接整流桥正极，红笔别离勘探两个沟通脚位，若均有读值显现则标明整流桥正极与沟通间的两颗芯片为正常。

  测验成果总结：若测验过程中成果反应如上所述，则表明该整流桥4颗芯片均正常，万用表读值为该测验芯片的内阻值；若呈现非共同的状况，比方数值为1（无穷大）则阐明整流桥中该颗芯片现已损坏。

  压降测验法是使用万用表二极管档位直接测验整流桥内部二极管芯片的办法，读值为压降的参考值或近似值。测验办法与电阻测验法大致相似，也是很常见的一种丈量整流桥好坏的办法。

  测验办法与过程为：红笔接整流桥负极，黑笔接整流桥正极，此刻测验成果为整个整流桥的压降参考值；如需别离测验每颗芯片的压降值，则办法为黑笔接整流桥正极，红笔别离勘探两个沟通脚位；红笔接整流桥负极，黑笔别离勘探两个沟通脚位，此刻所测成果为内部独立二极管芯片的压降参数值。

  测验成果总结：上述测验成果为该整流桥内部二极管芯片压降的参考值，有示数阐明该芯片正常，能够辅佐判别整流桥通断与好坏状况。如有非共同的状况呈现，比方数值为1（无穷大）则阐明整流桥中该颗芯片现已损坏。