维护中发挥着逐步重要的效果。一个首要的应战是为这一些器材在ESD应力条件下开发有用的紧凑

  本文介绍一种用于LVTSCR器材SPICE仿真的简略的宏模型等效电路建模办法。

  跟着先进的技能中器材特征尺度的不断减小，集成电路越来越简略遭到静电放电(ESD)的影响。可控硅整流器(SCR)一般用于为高频引脚供给防ESD损坏的片内维护。与其他ESD器材比较，SCR占用更小的面积，具有更低的寄生电容。在CMOS技能中，一般在可控硅结构中引进MOS触发器材以下降其固有损耗可控硅回吸触发电压。这种器材称为低压触发可控硅(LVTSCR)，具有比规范SCR更低的snapback触发电压。

  完成LVTSCR建模的首要妨碍是雪崩电流，雪崩电流是偏压条件的杂乱函数。尺度缩小带来的问题，隧穿电流变得重要。模型需求包含对非常快的瞬态鼓励的呼应，如CDM，因为它是ESD的首要失效形式。

  一种新的微观建模办法用于模仿MOS器材中的snapback现已被报导。该模型选用规范元素结构，没有显式雪崩电流源。它利用了现有的先进的SPICE模型，供给了极大的简略性，高灵活性，合理的准确性和广泛的可用性。该办法还有一个长处，即它与大多数商业模仿器兼容。

  结构能够看做一系列的PNPN扩散结，能够理解为一个PNP和一个NPN相连。增加MOS作为触发器材，完成低snaback触发电压。Nwell，Pwell电阻被考虑。

  LVTSCR中的snaback是因为NMOS衬底电流触发的正反馈，首要是由NMOS Drain/Bulk 结或NPN和PNP的Base/Collector 结雪崩击穿引起的。当正电压施加到anode时，结是反向偏置的。当结电压抵达其击穿电压时，因为磕碰电离，许多空穴和电子对在耗尽层中产生。当产生的电子移动到漏极或集电极时，空穴被注入到NMOS的Pwell或Bulk。电子空穴流形成了NMOS器材的衬底电流Isub，即从漏极流向NMOS器材的衬底，或从NPN的集电极流向基极。在晶体管外部，Isub经过Rpwell电阻从NPN的基极流向发射极(从NMOS的Bulk到源极)。当Rpwell电阻上的压降大于NPN的导通电压(-0.7V)时，NPN导通。这导致额定的电子电流抵达Drain/Bulk (Base/Collector)结耗尽区，并进一步增加产生的电子-空穴对。终究，NPN和PNP都被翻开，阳极和阴极之间的电压下降并保持在一个下降的水平。

  Snapback之前，当NMOS占主导地位时，Drain/Bulk结起效果，isub是Vgs，Vds的函数。产生Snapback后，磕碰电离电流与Vgs的联系变得弱小。PNP, NPN占主导效果。这儿介绍一种宏模型建模办法，运用规范的MOSFET, BJT模型。雪崩效应，dv/dt效应，GIDL效应和电容本质上包含在MOS和BJT模型中。BJT Mextram模型中包含了模仿雪崩击穿效应的方程，所以能先用BJT Mextram简略验证一下SCR的Snapback行为。

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