领域中两个常见的器件，它们在不同的应用领域中都存在广泛的应用。本文将重点介绍SCR和FET的工作原理及它们之间的区别。

  可控硅是一种双极晶体管，由四个PN结构组成，它的基本结构包括一个P型基底、一个N型外围区域、一个P型控制极和一个N型结构区。通常，可控硅用三个字母来描述它的结构，分别是A（阳极）、K（阴极）和G（控制极）。

  可控硅的工作原理是经过控制控制极的电流，使其启动和维持结构区发生导通，从而使器件能够传导电流。当控制极的电流高于一定的阈值（通常为1mA左右）时，器件的结构区域会开始导电，此时在阳极和阴极之间就会出现一个低阻抗的通路，此现状称为硅控整流。一旦硅控整流启动，可控硅就会从始至终保持导通状态，直到阳极和阴极之间的电流降为零或降到很低的水平（通常为几十毫安）。此时，可控硅又会恢复到封锁状态。

  可控硅的优点是具有高电压和高电流的承载能力，尤其在直流电路和中表现突出。由于可控硅在导通状态时的电压降低，所以被大范围的应用于电源和逆变器中，以改善电源的效率和功率因数。

  场效应管是一种半导体器件，它主要由源极、漏极和栅极组成。其中，源极和漏极通过一个n型或p型半导体形成的沟道相连接，而沟道则由栅极控制其电阻。

  场效应管的工作原理是依靠栅极施加的电场来控制沟道的电阻，从而控制流经源极和漏极之间电流的大小。当栅极上的电荷变化时，电场也会随即改变，这一变化引起沟道内激活的载流子数目的变化，从而控制了电流的流动。当栅极施加一个负电压时，沟道的电阻会变大，电流减小；当栅极施加正电压时，沟道的电阻会减小，电流增大。

  场效应管的特点是在控制电路中无需特殊的电源来控制电流，具有高的输入阻抗、低的噪声、快速开关速度和低功耗等优点。场效应管通常用于放大和开关电路以及一些低功耗、高性能的电子应用中。

  1. 工作原理不同：可控硅主要是经过控制控制极的电流来启动和维持结构区发生导通，而场效应管则主要是通过栅极所施加的电场来控制沟道的电阻。

  2. 承受电压不同：可控硅的电压承担接受的能力远高于场效应管。可控硅大多数都用在直流电路和电源控制电路中，而场效应管则大多数都用在低功耗、高性能的电子应用中。

  3. 结构不同：可控硅由四个PN结构组成，而场效应管则由源极、漏极和栅极组成。可控硅的结构更复杂，且体积较大，成本也较高；而场效应管则体积小，成本低，易于集成。

  4. 输出特性不同：可控硅的输出特性为电流随控制极电压之间的关系，输出为直流信号；而场效应管的输出特性为漏极电流随栅极电压之间的关系，输出为交流信号。

  总之，可控硅和场效应管作为两种不同的半导体器件，在不同的应用场合中各具优缺点。理解它们的工作原理以及它们的区别有助于更好地理解电子电路及其应用。

  是一种四层三端半导体器件，由两个PN结组成，具有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和门极（Gate，G

  不再有阳极和阴极的区分，而是用T1和T2来表示其两个主电极。 二、双向

  图解 /

  （Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，大范围的应用于电子电路中。

  是一种四层结构的半导体器件，它由一对PNPN层叠而成。当控制端施加一个触发脉冲时，控制端到阳极之间产生一个正向的电压，使得PNPN结反偏并开始导通。导通之后，只有当阳极电流降至零点以下时，

  Transistor，简称IGBT）是两种常见的功率管件。它们在应用领域、结构、

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  （Field Effect Transistor，缩写为FET）是两种常见的半导体器件，它们在电子电路中存在广泛的应用。尽管它们都属于半导体器件，但它们之间有着一些显著的

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