晶闸管是在半导体二极管、三极管往后发现的一种新式的大功率半导体器件，它是一种可控制的硅整流元件，亦称可控硅。晶闸管的外形如图所示，分为螺栓形陡峭板形两种，螺栓形带有螺栓的那一端是阳极A，它可与散热器固定，另一端的粗引线是阴极K，细线是控制极（又称门极）G，这种结构替换元件很便当，用于十0A以下的元件。平板形，基地的金属环是控制极G，离控制极远的一面是阳极A，近的一面是阴极K，这种结构散热效果对比好，用于200A以上的元件。晶闸管是由四层半导体构成的。图（a）、（b）、（c）所示分别为螺栓形晶闸管的内部结构、晶闸管的结构暗示和标明符号。晶闸管的结构是由四层半导体材料叠成三个PN结，并在对应的半导体材料上引出了三个电极。这三个电极分别称为：A-阳极，G-控制极，K-阴极。在晶闸管的阳极和阴极之间加正向电压而控制极不加电压时，因为PN结J2为反向偏置，所以晶闸管不导通，即处于阻断情况；而当外加电压极性相反时，因为J1和J3反向偏置，晶闸管依然阻断。这两种情况均相当于开关处于断开情况。假如在阳极和阴极之间加正向电压的一起，在控制极与阴极之间也加上一个正向电压，则晶闸管就由阻断变为导通，并且管压降很小，约1V左右，相当于开关处于闭合情况。可见，晶闸管相当于一个能控制的单独向导电的开关。从晶闸管的内部结构分析，能够将晶闸管等效为以如图所示方法相联接的NPN和PNP两个三极管VT1、VT2。设三极管VT1和VT2的拓展倍数分别为1、2。当A－K间加正向电压时：VT1、VT2正向偏置。若在G－K间施加正向电压，则会在三极管VT1的基极产生初始触发电流。因为VT2和VT1之间各自的集电极和对方的基极相连， 经VT1拓展后的电流回到VT2的基极，然后构成剧烈的电流正反应。晶闸管能在几微秒的时间内结束导经进程。当A-K间加反向电压时： VT1、VT2反向偏置，不论G-K端为正或反向电压。晶闸管不能导通。（1）正常情况下，若控制极不加正向电压，则不论阳极加正向电压仍是反向电压，晶闸管均不导通，这说明晶闸管具有正、反向阻断才调；（2）晶闸管的阳极和控制极一起加正向电压时才调使晶闸管导通，这是晶闸管导通有必要一起具有的两个条件；（3）在晶闸管导通往后，其控制极就失掉控制作用，欲使晶闸管恢复阻断情况，有必要把阳极正向电压下降到必定值（或断开，或反向）。（4）晶闸管导通后，两只三极管饱满导通，阳极与阴极间的管压降为1V分配，而电源电压几乎全有些配在负载电阻上。晶闸管的PN结可通过几十安～几千安的电流。晶闸管触发导通的时间为几微秒。

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