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意法半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

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意法半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

时间: 2024-04-10 00:54:45 |   作者: fun88体育官网网站

不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足多种应用场景的需求。

详细介绍


  不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足多种应用场景的需求。

  此次推出的驱动器产品系列特点鲜明,包括集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,这些特性使得它们能适应各种复杂的工作环境,无论是工业应用还是消费电子领域,都能展现出出色的性能。

  值得一提的是,STGAP系列隔离栅极驱动器在安全性控制方面表现尤为突出。该系列驱动器在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供了电气隔离,这一设计有效地防止了电气故障的发生,从而确保了系统的稳定运行。此外,其无缝集成和优质性能的特点也使得它在市场上备受青睐。

  针对SiC MOSFET的安全控制需求,ST还特别推出了STGAP2SICS系列驱动器。这一系列产品经过专门优化,可在高达1200V的高压下工作,为节能型电源系统、驱动器和控制装置提供了理想的解决方案。无论是在工业电动汽车充电系统,还是在太阳能、感应加热和汽车OBCDC-DC等领域,STGAP2SICS系列都能发挥出其卓越的性能,帮助用户简化设计、节约空间,并增强系统的稳健性和可靠性。

  业内专家这样认为,意法半导体此次推出的新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,不仅体现了公司在半导体技术领域的深厚实力,也展示了其对市场需求的敏锐洞察。这一些产品的推出,将为功率电子领域的发展注入新的活力,推动整个行业的进步。

  未来,意法半导体将继续加大在功率电子领域的研发投入,推出更多创新产品,满足市场一直在变化的需求。同时,公司也将致力于提升产品的性能和品质,为用户更好的提供更加优质的服务和解决方案。

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