集微网消息，8月18日，上交所正式受理了瑞能半导体科技股份有限公司（以下简称“瑞能半导”）的科创板上市申请。

  招股书显示，瑞能半导从事功率半导体器件的研发、生产和销售，是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装设计的一体化经营功率半导体企业，致力于开发并生产领先的功率半导体器件组合。公司基本的产品最重要的包含晶闸管和功率二极管等，大范围的应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。瑞能半导开发的功率半导体器件如下：

  根据IHSMarkit报告的市场统计，2019年度瑞能半导晶闸管产品的市场占有率，在国内排名第一、全球排名第二。根据WSTS协会报告的市场统计，2019年度公司晶闸管产品的全球市场占有率为21.8%，其中中国市场占有率达36.2%；2019年度公司功率二极管产品的全球市场占有率为2.6%，其中中国市场占有率达7.5%。

  瑞能半导提供的功率半导体器件组合已应用至众多全球知名客户。以家电为代表的消费电子领域用户包括惠而浦、伊莱克斯、惠普、海尔、美的、格力、海信、三星、LG、索尼、日立、佳能、飞利浦、松下、戴尔等；以通信电源为代表的工业制造领域用户包括台达、ABB、施耐德、霍尼韦尔、通用电气、科士达、英威腾、麦格米特、光宝、伟创力、立维腾等；新能源及汽车领域用户包括海拉电子、特锐德、上能电气、中恒电气、博世、NAPINO、HERO、TVSMotor等。

  瑞能半导表示，公司2019年营业收入为58,790.12万元，同比下滑11.84%，2019年纯利润是8,610.88万元，同比下滑9.29%。公司营业收入和净利润下滑主要系受到半导体景气度进入周期底部的影响。

  截至本招股说明书签署日，瑞能半导及其子公司持有境内专利共22项，其中发明专利5项、实用新型专利17项，境外专利4项。

  招股书披露，瑞能半导本次拟向社会公开发行股票不超过3,010万股，占发行后总股本不低于25.00%，募集资金用于公司主要营业业务相关的项目。

  C-MOS/IGBT-IPM产品平台建设项目围绕功率半导体领域，规划建设硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件产品平台。本项目实施后，产品将大范围的应用于新能源汽车、新能源光伏、工业制造、工业制造、通信电源等领域。

  南昌实验室扩容项目在瑞能半导现有南昌实验室的基础上进行扩容建设，通过增加可靠性测试和失效性分析相关的检测分析设备投入，优化实验环境，提升测试与分析的能力和效率，从而进一步保障产品质量、吸引高品质人才，促进业务高质量发展。

  研发中心新建项目依托公司在功率半导体领域的技术优势，布局碳化硅功率器件等功率半导体行业内的新技术领域，通过引进高技术人才、增加与外部机构研发合作等方式，逐步加强公司研发团队及研发平台的实力，以保持公司产品在核心技术方面的优势地位，为公司业务中长期的可持续发展奠定基础。

  此外，瑞能半导拟使用30,000万元募集资金，用于发展与科技储备资金。本次发展与科技储备资金将结合公司的经营需要和战略规划的资金需求，以提升公司的竞争力。

  瑞能半导表示，公司将加强完善全系列晶闸管和功率二极管器件的研发，开展新一代碳化硅半导体芯片及器件的研发，积极地推进以MOSFET和IGBT为代表的功率半导体器件的研发和生产。（校对/Candy）