本发明归于半导体技术领域，触及二极管芯片，触及一种半导体二极管芯片及其制造方法；其半导体二极管芯片包含硅片衬底，硅片衬底的底端设置有磷分散层，上部设置有硼分散层，硼分散层的上部及磷分散层的底端设置有金属电极，硅片衬底的四周外侧设置有新式钝化层，新式钝化层包含过渡部分和“鸟嘴”部分；其制造流程：原片清洗‑分散‑吹砂‑清洗‑一次光刻‑台阶腐蚀‑二次光刻‑沟槽腐蚀‑清洗‑钝化‑三次光刻‑金属化‑电性测验‑划片。本发明“鸟嘴”部分有玻璃维护，且玻璃未高出芯片台面，不打火、制造成本低(高于刀刮制程，低于光阻制程)、芯片有用运用面积较大，VF更低、玻璃厚度较厚，耐压能力强、惯例运用的寿命长和高温可靠性好等长处。