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【48812】研究机构:氮化镓、碳化硅功率半导体商场下一年将打破 10 亿美元?
时间: 2024-06-12 11:38:33
作者: fun88体育官网登录入口
IT之家11月15日音讯 依据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体陈述》,在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新式商场估量在 2021 年打破 10 亿美元。
陈述表明,全球 SiC 和 GaN 功率半导体的出售的收益,估量从 2018 年的 5.71 亿美元增至 2020 年末的 8.54 亿美元。估量未来十年,每年的商场收入以两位数添加,到 2029 年将超越 50 亿美元。
SiC 肖特基二极管现已上市十多年了,近年来呈现了 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)和结型场效应晶体管(SiC JFETs)。SiC 功率模块也渐渐变得多,包括混合 SiC 模块(这种模块包括带 Si 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)的 SiC 二极管),以及包括 SiC MOSFETs 的完好 SiC 模块(不管这种模块是否带有 SiC 二极管)。
SiC MOSFETs 在制作商中很受欢迎,现已有几家企业来供给了这种产品。有几个要素导致 2019 年的均匀价格下降,比方 650 伏、700 伏和 900 伏 SiC MOSFETs 上市,其定价与硅超结 MOSFETs 竞赛,又比方供货商之间的竞赛加重。
到 2020 年末,SiC MOSFETs 估量将发生约 3.2 亿美元的收入,与肖特基二极管的收入适当。从 2021 年起,SiC MOSFETs 将以略快的速度添加,成为最热销的分立 SiC 功率器材。一起,虽然 SiC JFETs 的牢靠性、价格和功能都很好,但据预测,SiC JFETs 的收入要比 SiC MOSFETs 少得多。
结合 Si IGBT 和 SIC 二极管的混合型 SiC 功率模块在 2019 年的销售额估量约为 7200 万美元,全 SiC 功率模块在 2019 年的销售额估量约为 5000 万美元。Omdia 估量到 2029 年,全 SiC 功率模块将完成超越 8.5 亿美元的收入,由于它们将被优先用于混合动力和电动汽车动力体系逆变器。相比之下,混合型 SiC 功率模块将大多数都用在光伏(PV)逆变器、不间断电源体系和其他工业使用,带来的上涨的速度要慢得多。
现在,SiC 和 GaN 功率器材都有数万亿小时的器材现场经历。供货商,乃至是新进入商场的企业,都在经过取得 JEDEC 和 AEC-Q101 认证来证明这一点。SiC 和 GaN 器材好像不存在任何意外的牢靠性问题;事实上,它们一般比硅器材更好。
IT之家得悉,陈述提及,内含 GaN 晶体管和 GaN 体系集成电路的终端产品已投入批量生产,特别是用于手机和笔记本电脑快充的 USB C 型电源适配器和充电器。此外,许多 GaN 器材正由晶圆代工服务供给商制作,在规范硅片上供给内部 GaN 外延晶体生长,跟着产值的添加,产能或许无限扩展。回来搜狐,检查更加多