(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)创造专利说明书(10)请求发布号CN107748417A(43)请求发布日2018-03-02(21)请求号CN8.8(22)请求日2013-04-12(71)请求人深圳迈辽技能搬运中心有限公司地址518000广东省深圳市龙华新区大浪大街龙胜社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座706(72)创造人不公揭创造人(74)专利署理组织深圳市兰锋知识产权署理事务所(一般合伙)44419署理人G02B6/42(2006.01)权利要求说明书说明书二极管模组的制造的进程(57)摘要一种二极管模组，包含半导体基底层、二极管外延层及光波导。该半导体基底层具有一外表，该外表包含顺次相邻设置的外延层成长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收留沟槽，该光纤收留沟槽的延伸方向指向该光波导固定区。该二极管外延层构成于该外延层成长区，该二极管外延层包含沿远离该外表顺次摆放的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间构成有多重量子井结构.层。该光波导构成于该光波导固定区，该光波导其间一旁边面与该多重量子井结构层一旁边面相对。本创造还触及该二极管模组的制造的进程及光互连设备。法令状况法令状况公告日法令状况信息法令状况2018-03-02揭露揭露2018-03-02揭露揭露04月12日、创造创造名称为“二极管模组和其制造的进程及光互连设备”的专利的分案请求。技能领域本创造触及光电半导体磊晶及光互连设备，特别触及一种二极管磊晶模组的制造的进程。布景技能在光通讯设备中，一般包含激光二极管、光电二极管及设置于激光二极管与光电二极管之间用于将激光二极管宣布的光线传输至光电极体的光波导和光纤。一般地，激光二极管和光电二极管为别离的结构，使用时，将现已封装的激光二极管和光电二极管与光波导作进一步封装构成模组化的结构，从而构成光互连设备。但是，此种光互连设备经过了屡次的模组化封装，体积较大，不利于光电产品小型化需求。创造内容有鉴于此，供给一种体积较小的二极管模组和其制造的进程及光互连设备实为必要。一种二极管模组，包含半导体基底层、二极管外延层及光波导。该半导体基底层具有一外表，该外表包含顺次相邻设置的外延层成长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收留沟槽，该光纤收留沟槽的延伸方向指向该光波导固定区。该二极管外延层构成于该外延层成长区，该二极管外延层包含沿远离该外表顺次摆放的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间构成有多重量子井结构层。该光波导构成于该光波导固定区，该光波导其间一旁边面与该多重量子井结构层一旁边面相对。一种二极管模组的制造方法，包含过程：供给半导体基底层，该半导体基底层具有一外表，该外表包含顺次相邻设置的外延层成长区、光波导固定区及光纤接入区；在半导体基底层的外表的光纤接入区开设光纤收留沟槽，该光纤收留沟槽的延伸方向指向光波导固定区；选用外延成长法在该半导体基底层的外表的外延层成长区成长二极管外延层，该二极管外延层包含沿远离该外表顺次摆放的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间构成有多重量子井结构层；及将光波导构成于该光波导固定区，且使该光波导其间一旁边面与该多重量子井结构层一旁边面相对，构成激光二极管磊晶模组。一种光互连设备，包含激光二极管磊晶模组、光电二极管磊晶模组及光纤。该激光二极管磊晶模组榜首半导体基底层、激光二极管外延层及榜首光波导。该榜首半导体基底层具有一榜首外表，该榜首外表包含顺次相邻设置的榜首外延层成长区、榜首光波导固定区及榜首光纤接入区，该榜首光纤接入区开设有榜首光纤收留沟槽，该榜首光纤收留沟槽的延伸方向指向该榜首光波导固定区。该激光二极管外延层构成于该榜首外延......完好内容请下载后检查

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