MOS是电压驱动型器材，只需栅极和源级间给一个恰当电压，源级和漏级间通路就构成。这个电流通路的电阻被成为MOS内阻，便是导通电阻。这个内阻巨细根本决议了MOS芯片能接受的最大导通电流（当然和其它要素相关，最有关的是热阻），内阻越小接受电流越大（因发热小）。

  注册进程（由截止到导通的过渡进程）、导通状况、关断进程（由导通到截止的过渡进程）、截止状况。

  MOS管烧坏的原因首要损耗也对应这几个状况，开关损耗（注册进程和关断进程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只需把这些损耗控制在MOS接受规范之内，MOS即会正常作业，超出接受规模，即产生损坏。而开关损耗往往大于导通状况损耗，不同MOS这个距离或许很大。

  假如在漏极-源极间外加超出器材额外VDSS的电涌电压，并且到达击穿电压V(BR)DSS （依据击穿电流其值不同），并超出必定的能量后就产生损坏的现象。在介质负载的开关运转断开时产生的回扫电压，或许由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额外耐压并进入击穿区而导致损坏的形式会引起雪崩损坏。

  发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热

  导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致必定电流下，功耗添加）

  器材正常运转时不产生的负载短路等引起的过电流，构成瞬时部分发热而导致损坏。别的，由于热量不般配或开关频率太高使芯片反常散热时，继续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的损坏。买元器材现货上唯样商城！

  在DS端间构成的寄生二极管运转时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运转，导致此二极管损坏的形式。

  此损坏方法在并联时特别易产生。在并联功率MOS FET时未刺进栅极电阻而直接衔接时产生的栅极寄生振动。高速重复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg构成的谐振电路上产生此寄生振动。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压。由于超出栅极-源极间标称电压导致栅极损坏，或许接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压经过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形堆叠导致正向反应，因而或许会由于误动作引起振动损坏。

  首要有因在栅极和源极之间假如存在电压浪涌和静电而引起的损坏，即栅极过电压损坏和由上电状况中静电在GS两头（包含装置和和测定设备的带电）而导致的栅极损坏。

  防止MOS由于器材发热而构成的损坏，必定要做好满足的散热规划。唯样商城MOS管，赠品质量有保证。若经过添加散热器和电路板的长度来供一切MOS管散热，这样就会添加机箱的体积，一起这种散热结构，风量发散，散热作用欠好。

  有些大功率逆变器MOS管会装置通风纸来散热，但装置很费事。所以MOS管对散热的要求很高，散热条件分为最低和最高，即在运转中的散热状况的上下起浮规模。一般在选购的时分一般会用最差的散热条件为规范，这样在运用的时分就可以留出最大的安全余量，即便在高温中也能保证体系的正常运转。