跟着低碳环保理念的推广，以及人们对绿色、快捷出行的需求，移动储能与电动小型动力商场得到加快速度进行开展，为进步电池的安全性以及电池的运用功率，电池维护技能（BMS）亟需进一步进步。

  氮化镓（GaN）作为一种新式的半导体资料，具有高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，可进步电力体系的转化能效, 现在已经在快充商场充沛证明了其优势。此外，氮化镓无寄生体二极管，可完成受控的双向注册与关断，完成传统两颗NMOS对管才干完成的功用。根据此，英诺赛科开发了 VGaN 系列新产品而且面向 OVP 及 BMS 运用领域。

  48V/180A BMS Demo是根据高边同口BMS运用开发的最新规划的详细计划，规划选用了最新的100V VGaN产品INV100FQ030A，其封装为FCQFN 4mm*6mm，最大导通电阻3.2mΩ，仅用16颗VGaN即可代替18对Si MOSFET（36颗），不只下降占板面积，减小体系回路阻抗，还能全面下降体系本钱。

  该计划为16串高边充放同口电池维护体系，运用VGaN 可受控双导游通及截止的特性，经过VGaN驱动电路，完成正常充放电、充电维护、放电维护、休眠等四种状况。

  VGaN 是英诺赛科自研的全球仅有一款双导游通氮化镓功率器材，掩盖 30V-100V，支撑双导游通，双向截止功用。INV100FQ030A 选用 4mmX6mm FCQFN 封装，无寄生二极管。在BMS体系运用的优势如下：

  与 Si MOSFET 计划比较，功率部分开关管数量更少， PCB占板面积更小，节约物料本钱以及削减体系分量

  英诺赛科48V/180A高边同口BMS驱动计划可运用于移动储能、电动车等体系中，如野外便携式储能、野外电源产品，电动两轮车、三轮车等，不只能协助终端产品下降温升和体系本钱，完成小体积便携优势，还能经过充电和放电操控来优化电池惯例运用的寿数，进步电池安全功能。

  英诺赛科已针对BMS体系别离推出了高边、低边多种计划，如需了解计划概况，请经过以下邮箱咨询：

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