子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业高质量发展的关键。

  在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩散。因此，在制备碳化硅器件时，PN结的掺杂一定要通过高温下离子注入的方式来实现。

  SiC/SiO2界面的质量对MOSFET沟道迁移和栅极可靠性具备极其重大影响。因此，需要开发特定的栅氧及氧化后退火工艺，通过引入特殊原子（如氮原子）来补偿SiC/SiO2界面处的悬挂键，从而满足高质量SiC/SiO2界面和器件高迁移性能的要求。主要的工艺技术包括栅氧高温氧化、LPCVD和PECVD。

  碳化硅薄膜具有低损耗、高导热、耐高温等特点，大范围的应用于微电子器件、光电子器件等领域。目前，主要的碳化硅薄膜制备技术有化学气相沉积法（CVD）、物理气相沉积法（PVD）和原子层沉积法（ALD）等。其中，CVD法具有设备简单、成本低等优点，但其薄膜质量受到气体组分和温度等因素的影响。PVD法和ALD法虽能获得高质量的碳化硅薄膜，但设备复杂、成本高。因此，怎么来实现低成本、高质量的碳化硅薄膜制备技术是当前研究的关键。

  由于碳化硅材料在化学溶剂中具有惰性，因此要实现精确的形貌控制，只可以通过干法刻蚀方法来实现。在这样的一个过程中，应该要依据碳化硅材料的特性来选择掩膜材料、掩膜蚀刻方法、混合气体、侧壁控制、蚀刻速率和侧壁粗糙度等。主要的工艺技术包括薄膜沉积、光刻、介质膜腐蚀和干法刻蚀工艺。

  在器件的源电极制作的步骤中，需要确保金属与碳化硅形成良好的低电阻欧姆接触。这需要通过调控金属淀积工艺来控制金属-半导体接触的界面状态，同时采用高温退火的方式降低肖特基势垒高度，以此来实现金属-碳化硅欧姆接触。主要的工艺技术包括金属磁控溅射、电子束蒸发和快速热退火。

  总之，碳化硅特色工艺模块的研究和应用对于推动碳化硅产业的发展具备极其重大意义。通过一直在优化和完善各种工艺技术，有望实现碳化硅材料在各领域的广泛应用。

  压敏电阻的主要特征自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或

  化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。绝大多数都是无感的。

  (SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

  的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

  是宽禁带半导体材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

  （SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。

  (Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  提供更佳的解决方案。图 11 所示分别为铜键合线、铜带连接方式。锡片或锡膏常用于芯片

  10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。2）