是触发二极管，只要在 DIAC 到达击穿电压后才导通电流。 DIAC 的击穿电压为 30 V。其结构相似于开路基极 NPN

  DIAC 可用于许多使用，例如电机速度操控和调光器电路。下图显现了 DIAC 模块结构、原理图符号和沟通相位操控电路：

  因为其相似晶体管结构，当 DIAC 进入负阻区域时，它会发生高达电压转折点 (Vbo) 的高阻抗阻断状况。 DIAC 特性是在沟通电中发生双向脉冲振荡器。

  因为其相似晶体管结构，当 DIAC 进入负阻区域时，它会发生高达电压转折点 (Vbo) 的高阻抗阻断状况。 DIAC 特性是在电阻电容沟通电中发生双向脉冲振荡器。

  相同，是一个PN结，可是因为制作工艺不同，当这种PN结处于反向击穿状况时，PN结不会损坏，当

  的，每一个PN结都有自己的反向击穿电压UB。例如UB为200V，当施加到PN结的反向电压小于200V时，电流不导通，而当施加到PN结的反向

  都是并联在线圈的两头，线圈在经过电流时，会在其两头发生感应电动势。当电流消失时，其

  ，首要使用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流

  （PowerDiode，PD）是指能接受高电压、大电流，具有较大耗散功率的

  。施加的电压在反向偏置区反向偏置，电流也是如此，在施加的电压超越齐纳电压后，电流在击穿区域明显上升。齐纳

  触及三种不同的现象。在反向偏置电压下，齐纳击穿发生在雪崩击穿之前。当电子在