道增强型MOSFET绝大多数都是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺分散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底(substrat)，用符号B表明。

  当Vgs=0V时，漏源之间适当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间构成电流。

  当栅极加有电压时，若0VGSVGS(TH)时(VGS(TH)称为敞开电压)，经过栅极和衬底间的电容效果，将接近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排挤，呈现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以构成沟道，所以依然不足以构成漏极电流ID。p

  进一步添加Vgs，当VgsVgs(th)时，因为此刻的栅极电压现已比较强，在接近栅极下方的P型半导体表层中集合较多的电子，能构成沟道，将漏极和源极交流。假如此刻加有漏源电压，就能构成漏极电流ID。在栅极下方构成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层(inversionlayer)。跟着Vgs的持续添加，ID将不断添加。

  VGS对漏极电流的操控联系可用iD=f(vGS)VDS=const这一曲线描绘，称为搬运特性曲线，见图。

  搬运特性曲线斜率gm的巨细反映了栅源电压对漏极电流的操控效果。gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。

  当VgsVgs(th)，且固定为某一值时，来剖析漏源电压Vds对漏极电流ID的影响。Vds的不同改变对沟道的影响如图所示。

  当VDS为0或较小时，适当VGDVGS(th)，沟道呈斜线散布。在紧靠漏极处，沟道到达敞开的程度以上，漏源之间有电流经过。

  当VDS添加到使VGD=VGS(th)时，适当于VDS添加使漏极处沟道缩减到刚刚敞开的状况，称为预夹断，此刻的漏极电流ID根本饱满。

  当VDS添加到VGDVGS(TH)时，预夹断区域加长，伸向S极。pVDS添加的部分根本降落在随之加长的夹断沟道上，ID根本趋于不变。

  当VGSVGS(th)，且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)VGS=const这一联系曲线所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。

  非饱满区(NonsaturationRegion)又称可变电阻区，是沟道未被预夹断的作业区。由不等式VGSVGS(th)、VDS

  当VDS增大到足以使漏区与衬底间PN结引发雪崩击穿时，ID敏捷添加，管子进入击穿区。

  在N型衬底中分散两个P+区，别离做为漏区和源区，并在两个P+之间的SiO2绝缘层上掩盖栅极金属层，就构成了P沟道EMOS管。

  N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图3-5所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了很多的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子现已感应出反型层，构成了沟道。所以，只需有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS0时，将使ID进一步添加。VGS0时，跟着VGS的减小漏极电流逐步减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表明，有时也用VP表明。N沟道耗尽型MOSFET的搬运特性曲线见图所示。

  P沟道MOSFET的作业原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同罢了。这好像双极型三极管有NPN型和PNP型相同。