晶体二极管是由PN结加上引出线和管壳构成的，具有PN结的各种特性，一般有以下几种类型：

  点接触型：结面积小，结电容小，适用于高频如几百兆赫作业，但不能通过很大的电流，大多数都用在小 电流的整流和高频时的检波、混频等。

  硅平面型：结面积较大的，可通过较大电流，适用大功率整流，结面积较小的，结电容较小，适用 于在数字电路中作开关管。

  电路剖析时，电路中的各个实践器材必须用其相应的模型来表明，即所谓的元件束缚，常用其伏安特性来表明，但实践器材在各种不同条件下伏安特性是不同的，如二极管低频使用时可不考虑结电容效应，而在高频时结电容效 应不能疏忽。工程上，常选用简化模型剖析电路首要特性，而核算机辅佐剖析选用杂乱模型以取得准确成果。 实践器材的模型一般有：数学模型、曲线和表格模型、电路模型等。

  1、晶体二极管的数学模型；P18—1式所示的指数特性为晶体二极管抱负的 数学模型，实践器材的伏安特性一般用下式表明：

  n为非抱负化因子，其值与 I 有关，I 为正常值时，n≈1，I 过大或过小 时， n≈2，rs是与阻挡层相串接的电阻（中性区题电阻，引线电阻等） 假如进一步考虑击穿特性和非线性电容特性，模型更杂乱，工程上常采 用抱负的简化模型。

  2、伏安特性曲线：可依据数学模型或实践丈量取得二极管的 伏安特性曲线、简化电路模型：二极管的首要特性是其单向导电性，导通前（或外加反向电压）近似为开路，导通后近似为一线性电阻（导通电阻RD，其伏安特性曲线为如下两段直线近似，转折点为导通电压V(on)

  4、小信号电路模型：实践器材沟通和直流模型并不相同，沟通模型中小信号和大信号、低频和高频模型也并不相同，线性电路中首要触及低频小信号模型。假如加到二极管上的电压V是由直流电压VQ（决议二极管的静态作业点，用Q表明）和叠加其上的增量电压△V组成，则发生的电流 ：I = IQ +△I 一般来说叠加在Q点上的△V与△I 的联系对错线性的但若△V满足小（ ∣△V ∣5.2mV) ，在△V 的改变范围内二极管伏安特性曲线近似为一段直线，如下图所示：

  如上图一段红线所示，这时二极管小信号伏安特性近似为一个沟通线性电阻rj ，其值为该直线段斜率的倒数：

  或rj= VT / IQ一般称rj 为二极管的增量结电阻（肖特基电阻、沟通小信号等效电阻）准确核算时还应考虑体电阻rs，高频时应考虑结电容Cj。

  二,晶体二极管电路剖析办法：二极管在电路中，既应遵守拓扑束缚，又应遵守元件束缚，在不同的使用条件下，二极管选用不相同的模型，剖析办法也不同。

  1、图解剖析法：当二极管用伏安特性曲线模型时，可选用图解剖析法。 先列出管外电路方程，该方程与伏安特性曲线的交点就是所需求的解。

  2、简化剖析法：二极管选用简化电路模型，电路剖析较简略，是最常用的剖析办法，以上图所示电路为例：

  例1：首要列出二极管管外电路方程，实践是将二极管两头（A、B两头）进行代文宁等效其开路电压VOC=VDD R2 / R1 等效内阻R0= R1 // R2 然后 VAB=VOC—I R0 至此若用图解剖析法

  该直线与伏安特性曲线交点即所求解，若用简化剖析法，将二极管等效为P25简化电路模型，则因为 VAB0故VAB=I RD+VD（on） 该方程与上方程联立求的电路解。

  解：因为 RD远小于外电阻R1、R2，VD（on）远小于外电源电压，故D1、D2近似为抱负二极管。核算这一类型标题时，应先求出二极管导通和截止的条件，依据这个求输入输出联系，该题中D1导通条件是VA大于25V，D2导通条件是VA大于100V，因而当VA小于25V时，即 Vi小于25V ，D1、D2均不导通，输出Vo=25V ；当VA大于25V而小于100V时， D1导通， D2截止，此刻VA大于25V相当于Vi大于25V，而输出电压