·多个IGBT芯片依照特定的电路方式组合，如半桥、全桥等，可以大大削减外部电路衔接的复杂性。

  ·多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，作业更牢靠。

  ·一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的挑选，其参数一致性比市售分立元件要好。

  ·模块中多个IGBT芯片之间的衔接与多个分立方式的单管进行外部衔接比较，电路布局更好，引线电感更小。

  ·模块的外部引线端子更适合高压和大电流衔接。同一制造商的同系列新产品，模块的最高电压等级一般会比IGBT 单管高1-2个等级，假如单管产品的最高电压标准为1700V，则模块有2500V、3300V 甚至更高电压标准的产品。

  IGBT的核心技术是单管而不是模块，模块其实更像拼装品一管芯的组合与拼装。

  1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装。

  4，IPM模块：即，集成门级驱动及很多维护功用（过热维护，过压，过流，欠压维护等）的IGBT模块

  IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。

  IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及维护功用（热维护，过流维护等）的IGBT模块。

  晶圆上的一个最小全功用单元称为Cell或许Chip cell，一般中文材料都将其译为“元胞”，本文称为芯片单元。每个芯片单元都是一个完好的微型晶体管，便是一个P-N-P-N 4 层结构的微型IGBT。

  晶圆切割后的最小单元，构成IGBT 单管或许模块的一个单元的芯片单元，合称为IGBT的管芯。

  IGBT模块中，一个IGBT管芯称为模块的一个单元，也称为模块单元、模块的管芯。模块单元与IGBT管芯的差异在终究产品，模块单元没有独立的封装，而管芯都有独立的封装，成为一个IGBT管。

  模块的操控端子并不限于栅极G，还包含为供给参阅电位的电极，如副发射极（也称为第二射极，与主接线端子上的发射极E都是从模块内部芯片上的端电极直接引出的，意图是削减主电路中大电流对栅极的影响）。关于半桥、全桥等多电平电路模块，操控电极还会包含C1E2等。总归，操控电极是与栅极合作运用的，不能衔接到主电路中承当大电流传输使命。

  高电压大电流标准的IGBT产品，有些制造商也供给平板压接式封装，就象大电流标准的SCR、GTO、IGCT那样。这样的单管产品比模块的功率容量要大，是该称为模块仍是单管？业界一般仍是把它作为单管对待。由于模块宗族中，多个芯片的简略并联仅仅其间的一小部分，一般称为单管模块。平板压接式封装也称为夹片式封装，需求专门定制的散热器与之合作运用。