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可控硅(晶闸管)原理图及可控硅作业原理剖析?
时间: 2024-03-28 10:36:05
作者: fun88体育官网登录入口
可控硅T在作业进程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载衔接,组成可控硅的主电路,可控硅的门极G和阴极K与操控可控硅的设备衔接,组成可控硅的操控电路。
可控硅是四层三端器材,它有J1、J2、J3三个PN结图1,能够把它前呼后拥的NP分红两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2
当可控硅接受正向阳极电压时,为使可控硅导铜,有必要使接受反向电压的PN结J2失掉阻挠效果。图2中每个晶体管的集电极电流一起便是另一个晶体管的基极电流。因而,两个相互复合的晶体管电路,当有满足的门机电流Ig流入时,就会构成激烈的正反馈,形成两晶体管顺利导通,晶体管顺利导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改动而急剧改变如图3所示。
当可控硅接受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(11)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故可控硅的阳极电流IaIc0 晶闸关处于正向阻断状况。当可控硅在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,因为满足大的Ig流经NPN管的发射结,来提高起点流放大系数a2,发生满足大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,发生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样激烈的正反馈进程敏捷进行。从图3,当a1和a2随发射极电流添加而(a1+a2)1时,式(11)中的分母1-(a1+a2)0,因而提高了可控硅的阳极电流Ia.这时,流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决议。可控硅已处于正导游通状况。
式(11)中,在可控硅导通后,1-(a1+a2)0,即便此刻门极电流Ig=0,可控硅仍能坚持本来的阳极电流Ia而持续导通。可控硅在导通后,门极已失掉效果。
在可控硅导通后,假如不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到保持电流IH以下时,因为a1和a1敏捷下降,当1-(a1+a2)0时,可控硅康复阻断状况。
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