➢1）定义：在环境和温度为40℃和规定的冷却条件下, 晶 闸管在电阻性负载导通角不小于170°的单相工频正弦 半波电路中, 当结温稳定且不超过额定结温时所允许的 最大通态平均电流。

  ➢ 在选用晶闸管额定电流时，结合实际最大的电流计算 后至少还要乘以1.5～2的安全系数，使其有一定的电 流裕量。

  由于它电流容量大,电压耐量高以及开通的可控性 (目前生产水平：4500A/8000V)已被大范围的应用于相控整 流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成为特大功率 低频(200Hz以下)装置中的主要器件。

  根据额定电流的定义可知，额定通态平均电流是指在通以单相 工频正弦波电流时的允许最大平均电流。

  在室温下，晶闸管加6V正向阳极电压时，使 元件完全导通所必须的最小门极电流，称为门极触 发极电触流发I电GT压。U对G应T。于门极触发电流的门极电压称为门

  在规定环境和温度、标准散热条件下， 元件通以 正弦半波额定电流时，阳极与阴极间电压降的平均值， 称通态平均电压(又称管压降)

  1)又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发 导通的晶闸管。 2）光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可 避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合， 如高压直流输电和高压核聚变装置中，占了重要的地位。返

  2）在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉 冲即从门极抽出电流(即抽取饱和导通时储存 的大量载流子)，强烈正反馈使器件退出饱和 而关断。

  GTO大多数都用在直流变换和逆变等需要元件强迫关断的地 方，电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，达到兆瓦 级的数量级。

  ➢ 它具有普通晶闸管的全部优点，如耐 压高，电流大等。同时它又是全控型器件， 即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉 冲电流触发下关断。

  1、可关断晶闸管的结构 PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门 极

  图1.4.1 GTO的内部结构和电气图形符号 (a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 ( b) 并联单元结构断面示意图

  定义：晶闸管阳极与阴极之 间的电压Ua与阳极电流Ia 的关系曲线称为晶闸管的 伏安特性。

  ❖ 用门极正脉冲可使GTO开通， 用门极负脉冲可以使 其关断， 这是GTO最大的优点。 但要使GTO关断的门极 反向电流比较大， 约为阳极电流的１/５左右。

  （1）晶闸管的重复峰值电压─标称电压Ute 1）正向重复峰值电压UDRM : 2）反向重复峰值电压URRM : 3 ） 晶 闸 管 铭 牌 标 注 的 额 定 电 压 通 常 取 UDRM

  与URRM中的最小值, 选用时，标称电压要留有 一定裕量,一般取标称电压为正常工作时晶闸 管所承受峰值电压2～3倍。

  ➢ 正反两方向均可触发导通， 所以双向晶闸管在第Ｉ和 第III象限有对称的伏安特性。

  • 1.1.1 晶闸管及其工作原理 • 1.1.2 晶闸管的特性与主要参数 • 1.1.3 晶闸管的派生器件

  闸管(Fast Switching Thyristor，简称FST)，开关频率 在10KHZ 以上的称为高频晶闸管。 ➢ 快速晶闸管为了更好的提高开关速度，其硅片厚度做得比普通 晶闸管薄，因此承受正反向阻断重复峰值电压较低，一 般在2000V以下。

  • 1）维持电流ＩＨ： 在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好

  给晶闸管门极加上触发电压，当元件刚从阻断状态转 为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需 要的最小阳极电流称掣住电流ＩL。