IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块一般具有三个接线端，分别是：Emitter（发射极）、Collector（集电极）和Gate（栅极）。正确的接线. Emitter（发射极）：该端衔接到IGBT模块的输出负极或地。在某些运用中，Emitter也沉痛衔接到负载的负极。

　　2. Collector（集电极）：该端衔接到IGBT模块的电源正极或所需电流源的正极，一般是与负载的正极相连。

　　3. Gate（栅极）：该端衔接到操控信号的源，一般是一个操控电路或信号源。Gate极输入操控信号，操控IGBT的开关和导通。

　　- 在衔接IGBT模块之前，请保证模块的额定电压和电流符合实际运用需求，并遵从制造商的规范和攻略。

　　- 在衔接IGBT之前，保证用恰当的在答应电压下不导电的资料进行绝缘，以防止电气短路和风险。

　　- 在高功率或高电流运用中，在大多数情况下要特别的散热呈现来保证IGBT模块的温度不超越其额定约束。

　　重要的是着重遵从制造商供给的正确的电路衔接和装置攻略，以保证正确和安全的外部电路。

　　在大多数情况下，IGBT模块的引脚一般会以标号或文字标识进行符号。以下是常见的IGBT模块引脚符号：

　　2. 发射极（Emitter）：一般符号为E，也可能是“E”或“EMITTER”。

　　- 附加引脚（Auxiliary Pins）：某些IGBT模块具有额定的引脚，用于增强特定功用或供给附加电气衔接。这些引脚一般会有特定的标识或功用阐明。

　　如果您具有特定类型的IGBT模块，最好参阅相关的数据手册、规范表或制造商供给的引脚图来承认每个引脚的符号和功用。这将保证正确地衔接IGBT模块，并防止错误操作或损坏。

　　IGBT管至今尚无统-的电路符号规范，较常用的电路符号如图所示。图中G为栅极或称门极， c为集电极， e为发射极。如下图所示电路符号中的A、B两种最为常用。

　　阐明：因为电磁炉中运用的IGBT管多为N型IGBT管，除特别阐明外均指N型IGBT管。