一般在AC／DC开关电源的输入级会参加一个，将电网的沟通电压变为脉动的直流，以便之后DCDC变换器的处理。由于传统桥式的整流二极管存在约1 V的电压降，当体系功率较大时，此整流桥将耗费一部分能量，这部分能量丢失使得在体系时需进行额定的散热处理。一起这部分丢失的能量也下降了AC／DC电源的体系功率。文中从用N沟道的增强型MOSFET构建，并引进相应操控信号对其进行整流，仿真成果达到了

  关键词AC／DC开关电源；桥式整流器；DCDC变换器；全桥同步整流

  由于现代高速超大规模集成电路的尺度不断减小，一起又对功率要求的继续不断的添加。因而有必要进步供电电源的功率密度，在有限的散热空间里添加功率密度，就有必要进步电源的作业功率。近年来，经过添加输出级同步整流、引进软开关技能等，使得开关电源的功率得到了大幅度进步。怎么样做一步进步其作业功率，笔者从输入级的一次整流下手进行了相应剖析和研讨。

  一般开关电源中一次整流电路结构如图1所示。由于图中电源V1由电网供给，要选用高压二极管对其进行整流，所以D1，D2，D3，D4的压降约为1 V。当输出电流为I时，将在整个整流桥上发生P(VD)=1×2×I的功率损耗。

  桥式同步整流电路结构如图2所示，图中M1、M2、M3、M4为n沟道增强型功率MOS管，其间D1、D2、D3、D4为其寄生体二极管。图中左半部分为其驱动信号发生模块。

  为进一步进步电源变换器的功率，下降一次整流部分的损耗是进步电源变换器作业功率的一种有效途径。选用P-MOSFET管来完成整流功用的整流电路称为同步整流电路，P-MOSFET管不像二极管那样能主动截止反向电流，需要用P-MOSFET管来完成同步整流，有必要操控P-MOSFET管的导通和关断，而P-MOSFET管的导通和关断又取决于它的栅极驱动信号。因而，在规划同步整流P-MOSFET管栅极驱动信号的巨细和时序，要保证同步整流电路的正常作业。图3为相应开关管M1、M2、M3、M4操控信号S1、S2、S3、S4波形图。